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202210月14日

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发布日期:2022-10-14 10:12    点击次数:57

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矽源特ChipSourceTek-MXN2508综合:

矽源特ChipSourceTek-MXN2508是VDS=20V,ID=8A,@VGS=4.5V,RDS(ON)(Typ.)=14m?,@VGS=4.2V,RDS(ON)(Typ.)=14.4m?,@VGS=3.8V,RDS(ON)(Typ.)=15.6m?,@VGS=2.5V,RDS(ON)(Typ.)=19m?的Dual N-Channel MOSFET.矽源特ChipSourceTek-MXN2508提供DFN2x5-6L封装.

The 矽源特ChipSourceTek-MXN2508 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as aload switch or in PWM applications.it is ESD protected.

矽源特ChipSourceTek-MXN2508特点:

VDS =20V,ID =8A

@VGS=4.5V RDS(ON)(Typ.)=14m?

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@VGS=4.2V RDS(ON)(Typ.)=14.4m?

@VGS=3.8V RDS(ON)(Typ.)=15.6m?

@VGS=2.5V RDS(ON)(Typ.)=19m?

ESD Rating: 2000V HBM

Asvanced trench MOSFET process technology

Ultra low on-resistance with low gate charge

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New Thermally Enhanced DFN2X5-6L Package

矽源特ChipSourceTek-MXN2508诓骗:

PWM applications

Load switch

Battery charge in cellular handset

矽源特ChipSourceTek-MXN2508典型诓骗及引脚图:

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